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IRF730AS, SiHF730AS, IRF730AL, SiHF730AL
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
10 2
10
Top
V GS
15 V
10 V
8.0 V
7.0 V
10 2
1
0.1
6.0 V
5.5 V
5.0 V
Bottom 4.5 V
4.5 V
20 μs Pulse Width
10
1
T J = 150 ° C
T J = 25 ° C
20 μs Pulse Width
10 -2
T C = 25 °C
0.1
V DS = 50 V
0.1
1
10
10 2
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
10.0
91046_01
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig. 1 - Typical Output Characteristics
91046_03
V GS, Gate-to-Source Voltage (V)
Fig. 3 - Typical Transfer Characteristics
10 2
V GS
2.5
I D = 5.5 A
10
Top
15 V
10 V
8.0 V
7.0 V
6.0 V
5.5 V
2.0
1.5
V GS = 10 V
1
0.1
5.0 V
Bottom 4.5 V
4.5 V
1.0
0.5
20 μs Pulse Width
10 -2
0.1
1
T C = 150 °C
10
10 2
0.0
- 60 - 40 - 20 0
20 40 60 80 100 120 140 160
91046_02
V DS, Drain-to-Source Voltage (V)
91046_04
T J, Junction Temperature (°C)
Fig. 2 - Typical Output Characteristics
Document Number: 91046
S11-1048-Rev. C, 30-May-11
Fig. 4 - Normalized On-Resistance vs. Temperature
www.vishay.com
3
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